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Remy先生在SEMICOM CHINA 2017发表主题演讲
作者:管理员    发布于:2017-03-27 20:12:07    文字:【】【】【

SEMICOM® CHINA 20172017年3月14日到16日,在上海新国际博览中心成功举行。展会期间,OMMIC公司LEBLANC Remy先生在SEMICOM CHINA 2017发表名为《A Multipurpose Millimeter Wave High Power and Low Noise GaN/Si Process for High Frequency Transmit-Receive MMICs》主题演讲。

OMMIC致力于III-V族化合物工艺的开发与先进MMIC的设计与制造,当前开发出微波应用领域的Si基GaN工艺。该工艺不仅具有和0.13μm pHEMT工艺一致的噪声系数、增益和工作频率范围,更能够提供更高的输出功率。

通过一系列优化设计,OMMIC使用该工艺试制出单片10W 30GHz的功率放大器芯片、X波段噪声系数达1.2dB的低噪声放大器。

OMMIC Si基GaN工艺同样适用于高性能T/R芯片(单片内集成PA、LNA、开关)的生产制造,来满足安防、空天和商用5G的高频应用场景。 

LEBLANC Remy先生在演讲中

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